基本信息
殷华湘 ，男 ，汉族 ，任职于中国科学院微电子研究所 ，研究员 ，硕士生导师 。
主要研究领域为：集成电路工艺技术与新型平板显示、高级硅MOS器件、传感器件
学术成果
论文
2020年，一种硅漂移探测器的优化设计与特性研究
2019年，应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究
2018年，隧穿场效应晶体管的研究进展
2018年，面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究
2017年，Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-κ Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates
2017年，垂直纳米线晶体管的制备技术
2017年，Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition
2016年，小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
2016年，Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology，Microelectronic Engineering，2016年163卷，页码：49-54
2016年，Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate，Solid-State Electronics，2016年122卷，页码：64-69
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专利
2017年，一种CMOS器件及其制造方法
2017年，一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件
2017年，一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件
2017年，一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法
2017年，一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
2017年，半导体器件及其制作方法
2017年，一种垂直MOSFET及其制造方法
2017年，一种垂直TFET及其制造方法
2017年，一种调节鳍体形貌的方法
2017年，一种半导体器件及其制造方法
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教育背景
1992.09--1996.07，天津大学，学电子工程系，半导体器件与物理专业，大学本科，学士学位
1996.09--1999.07，中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业，硕士研究生，硕士学位
2000.03--2003.03，中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业，博士研究生，博士学位
工作经历
2010.08-----，中国科学院，微电子研究所先导工艺研发中心（十室），研究员(现任)
2003.07--2010.07，韩国三星电子（集团）综合技术院半导体研究室，高级研究员(曾任)
1997.09--2003.03，中国科学院，微电子研究所硅器件与集成技术研究室（一室），研究助理(曾任)