基本信息
李传波 ,男 ,汉族 ,1976年07月出生 ,任职于中国科学院半导体研究所 ,研究员 ,博士生导师
主要研究领域为:微电子学与固体电子学、硅基纳米材料锂离子电池研制、一维纳米材料与热电器件应用、新型硅基纳米光电子器件
学术成果
论文
2017年,溅射外延法制备Ⅳ族Sn化合物单晶薄膜,XMJS201705001,2017年
2017年,锡自催化生长的硅基无位错锗锡条,XMJS201705001,2017年
2016年,SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真,红外与激光工程,2016年第45卷卷第5期期,页码:94-97
2016年,Temperature dependent direct-bandgap light emission and optical gain of Ge,Chinese Physics B,2016年05期,页码:404-408
2016年,High-speed waveguide-integrated Ge/Si avalanche photodetector,Chinese Physics B,2016年05期,页码:474-477
专利
教育背景
1995.09--1999.07,山东师范大学,大学本科,学士学位
1999.09--2002.02,山东师范大学,硕士研究生,硕士学位
2002.03--2005.03,中国科学院,半导体研究所,博士研究生,博士学位
工作经历
2015.09--2018.03,JournalofSemiconductors,副主编
2012.05-----,中国科学院,半导体研究所,研究员;博士生导师(现任)
2009.07--2012.05,帝国理工,助理研究员
2005.04-----,爱尔兰国立科克大学
中国科学院大学,教授;博士生导师(现任)
荣誉奖励
荣誉
被授予“国家"青年千人计划"”荣誉