基本信息
牛智川
，男
，汉族
，1963年04月出生
，任职于中国科学院半导体研究所
，研究员
，博士生导师
。
主要研究领域为：半导体材料与光电器件、纳米光子学器件、半导体低维材料外延技术、锑化物半导体光电器件、量子光源器件技术
主要研究领域为：半导体材料与光电器件、纳米光子学器件、半导体低维材料外延技术、锑化物半导体光电器件、量子光源器件技术
学术成果
论文
2020年，基于二维材料异质结的光探测器研究进展，人工晶体学报，2020年03期，页码：7-25
2019年，2～4μm锑化物中红外半导体激光器研究，中国学术期刊（光盘版）电子杂志社、《红外技术》编辑部，2019年
2019年，1.55μm通信波段InAs/GaAs量子点制备方法研究，通信技术，2019年06期，页码：29-33
2018年，蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究，红外与激光工程，2019年第48卷卷第9期期，页码：132-138
2018年，利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文），红外与毫米波学报，2018年06期，页码：7-10
2018年，InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文），红外与毫米波学报，2018年06期，页码：33-36+41
2018年，半导体自组织量子点量子发光机理与器件，物理学报，2018年22期，页码：133-141
2018年，GaSb基光泵浦半导体碟片激光器的研究进展(特邀)，红外与激光工程，2018年第47卷卷第10期期，页码：33-41
2018年，3～4μm锑化物带间级联激光器研究进展(特邀)，红外与激光工程，2018年10期，页码：26-32
2018年，GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文），红外与毫米波学报，2018年04期，页码：3-6
专利
2016年，一种电致单光子源器件及其制备方法
2016年，一种双通道宽光谱探测器及其制备方法
2016年，单势垒型InGaAsSb红外探测器
2016年，带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法
2016年，共振隧穿二极管近红外探测器
教育背景
-----1996，中国科学院，半导体研究所，博士研究生，博士学位
清华大学，硕士研究生，硕士学位
工作经历
2015.01--2017.12，中国光学工程学会，委员
2012.01--2017.12，中国电子学会，委员
中国真空学会，第六届理事会，委员
中国真空学会，纳米与表面第五届学术委员会，委员
中国科学院，半导体所，研究员;博士生导师(现任)
半导体超晶格国家重点实验室—新型光电材料分子束外延课题，组长
中国电子学会，半导体与集成技术第七届委员会，委员
荣誉奖励
荣誉
被中国科学院授予“中科院“百人计划””荣誉
被授予“基金委“国家杰出青年科学基金””荣誉
被人事部授予“人事部“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）””荣誉
被国务院授予“国务院政府特殊津贴”荣誉
奖励
2014.06，中国电子学会自然科学一等奖
2006，北京市科技二等奖
2001，国家自然科学二等奖