基本信息
韩伟华
，男
，1973年03月17日出生
，任职于中国科学院半导体研究所
，研究员（三级）
，研究员、博士生导师
。
主要研究领域为：半导体纳米电子学、微电子学与固体电子学、微纳制造技术
主要研究领域为：半导体纳米电子学、微电子学与固体电子学、微纳制造技术
学术成果
论文
2019年，硅纳米结构晶体管中与杂质量子点相关的量子输运，物理学报，2019年08期，页码：21-37
2018年，硅纳米线界面态的化学钝化方法概述，半导体技术，2018年第43卷卷第9期期，页码：42-50
2016年，Electric-field-dependent charge delocalization from dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor，Chinese Physics B，2016年25卷10期
2016年，Electric-field-dependent charge delocalization from dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor，Chin. Phys. B，2016年25(10)卷，页码：108102
2016年，Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing，Chinese Physics B，2016年25卷6期
2016年，Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing，Chin. Phys. B，2016年25(6)卷，页码：068103
2016年，Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展，微纳电子技术，2016年第53卷卷第2期期，页码：24-34
专利
教育背景
-----1995，沈阳工业大学，电子工程系，大学本科，学士学位
-----1998，吉林大学，电子工程系，硕士研究生，硕士学位
-----2001，中国科学院，半导体研究所光电子国家重点实验室，博士研究生，博士学位
-----2004，北海道大学，集成量子电子学研究中心
工作经历
2004.05-----，中国科学院半导体研究所，集成技术中心，研究员;博士生导师(现任)