基本信息
丁士进 ，男 ，1971年04月出生 ，任职于复旦大学微纳电子器件与工艺实验室 ，副教授 ，博士生导师、教授 。
主要研究领域为：闪存（Flash）和阻变存储（RRAM）的原型器件研究、用于电能存储的固态超级电容器及其制备技术、 射频集成电路用高密度MIM电容的制备及其射频测试、极大规模集成电路互连材料和工艺、纳米集成电路制造新工艺
学术成果
论文
2018年，氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响，物理学报，2018年09期，页码：28-35
2017年，基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究，物理学报，2017年08期，页码：327-334
2016年，Investigation of traps at MoS，IEEE Electron Device Letters，2016年37卷4期，页码：516-518
2016年，Voltage-dependent capacitance behavior and underlying mechanisms in metal-insulator-metal capacitors with Al，Journal of Physics D: Applied Physics，2016年49卷13期
2016年，Chemical-Vapor-Deposited Graphene as Charge Storage Layer in Flash Memory Device，Journal of Nanomaterials，2016年2016卷
2015年，热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响，物理学报，2015年10期，页码：267-273