基本信息
孙清清
，男
，1981年02月出生
，任职于复旦大学微纳电子器件与工艺实验室
，讲师
，研究员、博士生导师
。
主要研究领域为：集成电路先导工艺、高性能存储器件、二维半导体材料与器件
主要研究领域为：集成电路先导工艺、高性能存储器件、二维半导体材料与器件
学术成果
论文
2016年，Plasma enhanced atomic layer deposited platinum thin film on Si substrate with TMA pretreatment for platinum silicide application，Plasma enhanced atomic layer deposited platinum thin film on Si substrate with TMA pretreatment for platinum silicide application，2016年
2016年，1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术，半导体技术，2016年08期，页码：70-75
2016年，Thickness-dependent quantum oscillations in Cd，New Journal of Physics，2016年18卷8期
2016年，Resistive Switching and Synaptic Behaviors of TaN/Al，IEEE Electron Device Letters，2016年37卷7期，页码：878-881
2016年，Chemical-Vapor-Deposited Graphene as Charge Storage Layer in Flash Memory Device，Journal of Nanomaterials，2016年2016卷
2015年，The integration of sub-10 nm gate oxide on MoS2 with ultra low leakage and enhanced mobility，Scientific Reports，2015年5卷
2015年，The electronic structures and optical properties of Zn，Journal of Alloys and Compounds，2015年619卷，页码：368-371
2015年，Optical properties and bandgap evolution of ALD HfSiO，Nanoscale Research Letters，2015年10卷1期
2015年，Inductive crystallization effect of atomic-layer-deposited Hf，Nanoscale Research Letters，2015年10卷1期
荣誉奖励
荣誉
被授予“国家“万人计划”青年拔尖人才”荣誉
被授予“国家自然科学基金优秀青年科学基金”荣誉