基本信息
孙长征 ，男 ，任职于清华大学电子工程系 ，教授 ，博士生导师 。
主要研究领域为：光纤通信中的高速半导体光电子器件和光子集成回路、微波光子学中的光电子器件和子系统
学术成果
论文
2019年，多波长集成光源阵列封装用微波馈线设计，半导体光电，2019年第40卷卷第3期期，页码：52-55
2018年，面向柔性光电子器件的低温外延技术，中国科学(信息科学)，2018年第48卷卷第6期期，页码：90-102
2018年，基于朗伯型反射微结构的LED室内照明光源设计，半导体光电，2018年第1期期，页码：121-126
2018年，基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术，半导体光电，2018年01期，页码：60-63
2017年，基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究，半导体光电，2017年06期，页码：39-41+46
2017年，Ab Initio Calculation of Dielectric Function in Wurtzite GaN Based on Walter's Model，Chinese Physics Letters，2017年03期，页码：17-19
2017年，4×25 Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成光源阵列封装方案研究，半导体光电，2017年01期，页码：15-18
2017年，Studies on the nucleation of MBE grown Ⅲ-nitride nanowires on Si，Chinese Physics B，2017年01期，页码：348-351
2016年，Study on spin and optical polarization in a coupled InGaN/GaN quantum well and quantum dots structure，Scientific Reports，2016年6卷
2016年，Model for Low-Temperature Growth of Gallium Nitride，Crystal Growth and Design，2016年16卷9期，页码：5023-5029
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