基本信息
张源涛
，男
，任职于吉林大学电子科学与工程学院
，副教授
，教授、博士生导师
。
主要研究领域为：氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关光电子器件、ZnO材料的外延生长、物理特性及应用、新型光电子器件
主要研究领域为：氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关光电子器件、ZnO材料的外延生长、物理特性及应用、新型光电子器件
学术成果
论文
2018年，Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes，Chinese Physics B，2018年02期，页码：592-597
2017年，梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响，发光学报，2017年06期，页码：87-92
2017年，6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备，发光学报，2017年06期，页码：60-66
2017年，局域表面等离激元对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响，发光学报，2017年03期，页码：59-65
2017年，Temperature-dependent photoluminescence on organic-inorganic metal halide perovskite CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x prepared on ZnO/FTO substrates using a two-step method，Chinese Physics B，2017年01期，页码：486-491
2017年，Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths，Chinese Physics B，2017年01期，页码：502-506
2016年，High hole concentration Li-doped NiZnO thin films grown by photo-assisted metal–organic chemical vapor deposition，Journal of Crystal Growth，2016年454卷，页码：30-34
2016年，Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD，Materials Technology，2016年，页码：1-6
2016年，Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs，Journal of Alloys and Compounds，2016年681卷，页码：522-526
2016年，Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiN，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016年27卷10期，页码：10003-10009
荣誉奖励
荣誉
被教育部授予“教育部新世纪优秀人才支持计划”荣誉