基本信息
徐现刚
，男
，1965年01月出生
，任职于山东大学晶体材料国家重点实验室
，教授
，副主任、教授、博士生导师
。
主要研究领域为：MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用
主要研究领域为：MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用
学术成果
论文
2018年，锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究，无机材料学报，2018年05期，页码：64-68
2018年，第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇，新材料产业，2018年01期，页码：43-46
2017年，高可靠性瓦级660nm半导体激光器研制，中国激光，2018年05期，页码：13-17
2017年，808nm连续输出13.6W单芯片大功率激光器，中国激光，2018年01期，页码：81-84
2017年，Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs，Chinese Physics B，2017年09期，页码：519-523
2017年，宽禁带SiC单晶衬底研究进展，电力电子技术，2017年08期，页码：18-22+29
2017年，安防领域激光主动照明技术现状与展望，激光杂志，2017年03期，页码：5-8
2016年，Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷，无机材料学报，2016年11期，页码：12-16
2016年，Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells，Chinese Optics Letters，2016年08期，页码：106
2016年，光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征，化工学报，2016年10期，页码：337-343
专利
荣誉奖励
荣誉
被国务院授予“政府特殊津贴”荣誉
被授予“国家杰出青年基金”荣誉
被教育部授予“首批长江计划的特聘教授”荣誉