基本信息
成步文 ，男 ，任职于中国科学院半导体研究所 。
主要研究领域为：光学
学术成果
论文
2017年，高性能超薄宽谱锗-石墨烯异质结探测器，XMJS201705001，2017年
2017年，溅射外延法制备Ⅳ族Sn化合物单晶薄膜，XMJS201705001，2017年
2017年，锡自催化生长的硅基无位错锗锡条，XMJS201705001，2017年
2017年，快速熔融法制备高锡组分的绝缘衬底上的锗锡(GSOI)，XMJS201705001，2017年
2017年，Influence of H，Journal of Materials Science，2017年52卷1期，页码：431-436
2016年，Cu，Nanoscale Research Letters，2016年11卷1期
2016年，非硅微电子学:锗与锗锡场效应晶体管，中国科学(物理学·力学·天文学)，2016年第46卷卷第10期期，页码：26-42
2016年，Characterization and thermal stability of GeSn/Ge multi-quantum wells on Ge (100) substrates，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016年27卷9期，页码：9341-9345
2016年，Synthesis of GeSn and GeSnSi by sputtering epitaxy，Synthesis of GeSn and GeSnSi by sputtering epitaxy，2016年，页码：35-36
2016年，High-performance lithium-ion battery with nano-porous polycrystalline silicon particles as anode，Electrochimica Acta，2016年208卷，页码：174-179
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