基本信息
杜国同
，男
，任职于吉林大学集成光电国家重点实验室
，研究员、教授、博士生导师
。
主要研究领域为：半导体光电子学、半导体光电材料与器件、光纤有源、无源器件、有机半导体光电器件、光子晶体、半导体器件及集成电路
主要研究领域为：半导体光电子学、半导体光电材料与器件、光纤有源、无源器件、有机半导体光电器件、光子晶体、半导体器件及集成电路
学术成果
论文
2018年，Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes，Chinese Physics B，2018年02期，页码：592-597
2017年，Characterization of Interface State Density of Ni/p-GaN Structures by Capacitance/Conductance-Voltage-Frequency Measurements，Chinese Physics Letters，2017年09期，页码：88-92
2017年，梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响，发光学报，2017年06期，页码：87-92
2017年，Temperature-dependent photoluminescence on organic-inorganic metal halide perovskite CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x prepared on ZnO/FTO substrates using a two-step method，Chinese Physics B，2017年01期，页码：486-491
2017年，Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths，Chinese Physics B，2017年01期，页码：502-506
2016年，High hole concentration Li-doped NiZnO thin films grown by photo-assisted metal–organic chemical vapor deposition，Journal of Crystal Growth，2016年454卷，页码：30-34
2016年，Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD，Materials Technology，2016年，页码：1-6
2016年，Influence of substrate temperature on the optical properties of Sb-doped ZnO films prepared by MOCVD，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016年，页码：1-5
2016年，Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal ε-Ga，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016年，页码：1-4
2016年，Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs，Journal of Alloys and Compounds，2016年681卷，页码：522-526