基本信息
许福军
，男
，任职于北京大学物理学院
，讲师
，副教授
。
主要研究领域为：宽禁带半导体
主要研究领域为：宽禁带半导体
学术成果
论文
2017年，GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用，物理学进展，2017年03期，页码：4-20
2016年，Comparision between Ga- and N-polarity InGaN solar cells with gradient-In-composition intrinsic layers，Chinese Physics B，2016年10期，页码：549-553
2016年，Comparision between Ga- and N-polarity InGaN solar cells with gradient-In-composition intrinsic layers，Chinese Physics B，2016年25卷10期
2016年，High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure，Advanced Materials，2016年28卷36期，页码：7978-7983
2016年，High-resistance GaN epilayers with low dislocation density via growth mode modification，Journal of Crystal Growth，2016年450卷，页码：160-163
2016年，Positive temperature coefficient of photovoltaic efficiency in solar cells based on InGaN/GaN MQWs，Applied Physics Letters，2016年109卷6期
2016年，Enhancement of optical polarization degree of AlGaN quantum wells by using staggered structure，Optics Express，2016年24卷16期，页码：18176-18183
2016年，Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/AlGaN bilayer barriers，Journal of Crystal Growth，2016年447卷，页码：1-4
2016年，Growth of high quality n-Al，Materials Letters，2016年176卷，页码：298-300
2016年，Transition from bound to free excitons observed in deep- ultraviolet photoluminescence of AlN grown by MOCVD，Materials Research Express，2016年3卷7期