基本信息
陈万军 ，男 ，任职于电子科技大学微电子与固体电子学院 ，副教授 ，教授、博士生导师 。
主要研究领域为：硅基功率半导体技术、宽禁带氮化镓（GaN）功率器件与集成技术
学术成果
论文
2018年，MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析，电子与封装，2018年07期，页码：47-50
2018年，二极管光生电流影响因素的仿真研究，电子与封装，2018年06期，页码：36-40
2016年，基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化，电源学报，2016年04期，页码：96-101+133
2016年，7.6V threshold voltage high-performance normally-off Al，IEEE Electron Device Letters，2016年37卷2期，页码：165-168
2016年，High peak current MOS gate-triggered thyristor with fast turn-on characteristics for solid-state closing switch applications，IEEE Electron Device Letters，2016年37卷2期，页码：205-208
2015年，Mechanism of Ti/Al/Ti/W Au-free ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via pre-ohmic recess etching and low temperature annealing，Applied Physics Letters，2015年107卷26期
2015年，IGBT单粒子烧毁效应的二维仿真，电子与封装，2015年05期，页码：30-34