吴良才
宋志棠
论文
2007年，锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性，功能材料与器件学报，2007年02期，页码：47-51
2008年，基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能，功能材料与器件学报，2008年03期，页码：51-55
2009年，Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究，固体电子学研究与进展，2009年03期，页码：150-154
2013年，新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究，无机材料学报，2013年12期，页码：93-97
2013年，Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响，电子显微学报，2013年03期，页码：9-14