钱钦松
刘斯扬
论文
2010年，Analysis of trigger behavior of high voltage LDMOS under TLP and VFTLP stress，半导体学报，2010年01期，页码：34-37
2009年，Research into charge pumping method technique for hot-carrier degradation measurement of LDMOS，半导体学报，2009年10期，页码：50-54
2012年，SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究，电子科技，2012年07期，页码：110-113+117
2012年，SOI双槽隔离结构的耐压特性，东南大学学报(自然科学版)，2012年02期，页码：40-44
2010年，带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文)，Journal of Southeast University(English Edition)，2010年01期，页码：21-24