摘要：
本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法.所述雪崩光电二极管的制备方法包括:刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层;钝化台面侧壁及上表面;腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离;在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜;上下表面制备P、N接触金属层,最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层.通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合,有效提高了雪崩光电二极管的响应度.本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点.
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