两步法合成铜锌锡硫纳米片阵列的方法

周雨竹凌涛杜希文 · 2016

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专利权人：

天津大学

申请人：

天津大学

通讯地址：

300072天津市南开区卫津路92号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105384357A

公开日期：

2016.03.09

摘要：

本发明公开了一种两步法合成铜锌锡硫纳米片阵列的方法,以FTO玻璃为基底,使用两瓷舟分别盛放硫粉和氯化亚铜,再将两瓷舟置于真空管式炉内,抽成高真空状态-101kPa,用氩气冲洗三次,设置300℃;反应结束后将基底取出,置于反应釜内胆中,并加入反应液(二水合醋酸锌和二水合氯化锡溶解于三甘醇中,溶质质量比为1:1,每种溶质浓度为1.75g/L),再将其置于反应釜钢套内;将反应釜置于恒温箱内,设定205℃,保温40h;反应后用乙醇冲洗干净,制得铜锌锡硫纳米片阵列.本发明将原有的制备氯化亚铜薄膜和后续的硫化工艺整合为一步,克服了产物易脱落的问题,提高了可重复性,减少了工序周期,片阵列中单片可达20微米,实现了对片尺寸的控制,是成功的合成方法的改进.