异质掩埋激光器的制作方法

王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青陈娓兮梁松边静安心王伟 · 2010

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专利权人：

中国科学院半导体研究所

申请人：

中国科学院半导体研究所

通讯地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN101888060A

公开日期：

2010.11.17

摘要：

一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射区;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉,使中间形成微米级脊型台面,光刻后的有源层成为激光器件的发射区;步骤4:用MOCVD技术,在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层,使脊型台面上形成沟道;步骤5:去掉脊型台面表面上的SiO2层;步骤6:用MOCVD技术,在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层,完成器件的制作.