碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析

鄢强冯良桓武莉莉张静全郑家贵蔡伟蔡亚平李卫黎兵宋慧瑾夏庚培 · 2004

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共蒸发沉积

期刊名称：

半导体学报 2004 年 04 期

摘要：

分析了有 Zn Te/ Zn Te∶ Cu插入层的 Cd Te太阳电池在能带结构上的变化 .通过对比有无插入层的 Cd Te太阳电池在 C- V特性、I- V特性、光谱响应上的不同 ,肯定了插入层对改善背接触特性的作用 ,发现它还可以改善器件前结 Cd S/ Cd Te的二极管特性和短波光谱响应 .实验结果还表明 ,不掺杂的 Zn Te对提高器件的效率是必要的 .恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进 Cd Te太阳电池的性能 ,而对填充因子的提高最为显著