纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型

蒲月皎刘丕均张亚非王印月 · 2005

阅读量：21

器件模拟

量子传输

纳米级金属氧化物半导体场效应管

弹道传输

期刊名称：

固体电子学研究与进展 2005 年 02 期

摘要：

随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。