Si衬底InGaN大功率LED芯片制备

王立莫春兰熊传兵汤英文刘军林方文卿王小兰刘卫华周印华江风益 · 2010

阅读量：15

发光二极管

出版社：

半导体技术杂志社

会议名称：

第十二届全国LED产业研讨与学术会议

会议时间：

2010-09-09 00:00:01

会议地点：

中国广东深圳

摘要：

通过衬底图形化技术,在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的Al_xGa_((1-x))N/Al_yGa_((1-y))N多层缓冲技术,GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×10~8/cm~2。通过衬底转移成功制备了具有垂直薄膜结构的大功率LED芯片。经测试,Si衬底上制备的1 mm×1 mm大功率LED芯片封装后,在350 mA下光输出功率达到480 mW,封成白光在350 mA下光通量达到116.7 lm。1 mm×1 mm裸芯片在900 mA下老化1 000 h,光衰小于5%。