一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法

本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法,首先对Si₃N₄粉进行热处理和酸洗处理,然后配制Si₃N₄浆料,用流延工艺制备Si₃N₄薄层,对薄层切割叠层后得到多孔的氮化硅粉预制体。然后采用高纯硅粉对预制体进行液硅渗透,得到致密的Si₃N₄/Si。在氮化炉中对Si₃N₄/Si进行氮化处理,使材料中的Si发生氮化反应生成Si₃N₄。与制备高导热氮化硅陶瓷常用的工艺如等静压烧结、热压烧结等相比,本发明采用流延法结合液硅渗透成型,氮化烧结工艺,不需或仅需少量机械加工,制备温度低,且不需要添加烧结助剂,避免了晶界相对于材料热导率的影响。所制备的氮化硅陶瓷热导率可达80～120Wm^-1K^-1。