氮杂异靛青聚合物及其制备方法与应用

于贵黄剑耀毛祖攀高冬张卫锋陈智慧 · 2016

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有机半导体

迁移率

普适性

专利权人：

中国科学院化学研究所

申请人：

中国科学院化学研究所

通讯地址：

中国科学院化学研究所

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105384918A

摘要：

本发明公开了一种氮杂异靛青聚合物及其制备方法与应用。该氮杂异靛青聚合物的结构如式Ⅰ所示,其中,R为C₁～C₆₀的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化产品；合成方法具有普适性。以本发明氮杂异靛青聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的迁移率最高超过5cm²V^-1s^-1,开关比大于10⁶,在有机场效应晶体管器件中有很高的应用前景。

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