一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法

本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法,所述碳化硅基复相压敏陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB₂第二相材料,所述ZrB₂第二相材料的含量≤18wt%,优选为2～18wt%。综上本发明制备的SiC基复相压敏陶瓷材料通过伏安特性测试,表现为明显的非线性压敏特性。其具有特殊的应用价值,有望作为在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的电子元件。本发明所述方法为常压烧结,可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。