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一种碳化硅晶体生长用坩埚
孔海宽 忻隽 陈建军 郑燕青 施尔畏 · 2017
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阅读量：359
晶体生长
籽晶
晶体表面
长腔
硅晶体
专利权人：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所
通讯地址：
中国科学院上海硅酸盐研究所
专利类型：
发明专利
专利号：
CN106929919A
摘要：
本发明涉及一种碳化硅晶体生长用坩埚,包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部内以形成晶体结晶区域的生长腔,所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托。本发明的坩埚能够在生长过程中调节晶体表面与原料表面的距离,保持温度场的稳定性,从而生长出高质量碳化硅晶体的碳化硅晶体生长用坩埚。
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