材料
闪存（Flash）和阻变存储（RRAM）的原型器件研究
用于电能存储的固态超级电容器及其制备技术
射频集成电路用高密度MIM电容的制备及其射频测试
极大规模集成电路互连材料和工艺
纳米集成电路制造新工艺
无
无
评价：
丁士进 是一位闪存（Flash）和阻变存储（RRAM）的原型器件研究、用于电能存储的固态超级电容器及其制备技术； 射频集成电路用高密度MIM电容的制备及其射频测试、极大规模集成电路互连材料和工艺、纳米集成电路制造新工艺等方面的专家 ， 目前就职于复旦大学微纳电子器件与工艺实验室 。