摘要：
本发明公开了一种高温CMUT压力传感器及其制备方法,其整体结构从上至下依次为:第一碳化硅层、第一氮化硅层、第二碳化硅层、第二氮化硅层、和第三碳化硅层;第一氮化硅层、第二碳化硅层和第二氮化硅层周围部分和中间部分均被空腔在横向方向上隔开;通孔贯穿第三碳化硅层;所述第二氮化硅层中间部分覆盖在第三碳化硅层上侧和通孔的内表面;在通孔中的氮化硅层内表面上覆盖有电连接金属层与下电极形成电连接;有效减小了充电现象对传感器工作性能的影响;有效减小了高温环境中寄生电容及其对传感器检测灵敏度的影响;采用碳化硅层和氮化硅层交替的对称式结构设计能有效减小高温环境中温度应力对传感器测量精确度的影响.
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