硒碲合金半导体微米线的制备方法
杨中民 唐国武 钱奇 · 2016
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专利权人:
华南理工大学
申请人:
华南理工大学
通讯地址:
510640广东省广州市天河区五山路381号
专利类型:
发明专利
专利号:
CN105565282A
公开日期:
2016.05.11
摘要:
本发明公开硒碲合金半导体微米线的制备方法.该方法首先是选择一种玻璃材料,使此玻璃的加热拉丝温度在硒碲合金半导体液态温度范围内;其次将玻璃冷加工成玻璃管,并将混合均匀的硒粉和碲粉填充到玻璃管中,而后封闭玻璃管两端;第三步是将组装好的玻璃管在光纤拉丝塔上进行加热、拉丝,通过调节拉丝参数,使丝径达到纳米和微米量级;第四步是将拉制好的硒碲合金芯/玻璃包层的细丝浸泡在一种酸性溶液中,使玻璃包层被酸溶液腐蚀掉,腐蚀完成后即得到硒碲合金半导体微米线.本发明的制备硒碲合金半导体微米线工艺简单,微米线长度大且直径均匀.硒碲合金半导体微米线的组分(硒和碲比例)、直径和长度可通过控制拉丝参数来调节.
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