一种多晶铜箔转变为单晶Cu(100)的方法

彭海琳王欢刘忠范 · 2016

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专利权人：

北京大学

申请人：

北京大学

通讯地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105603518A

公开日期：

2016.05.25

摘要：

本发明公开了一种多晶铜箔的表面转变为单晶Cu(100)的制备方法.该方法,包括如下步骤:1)在不通入任何气体的条件下,对铜基底进行退火处理;其中,所述铜基底具有至少两个相对的表面,且两表面之间的间距不超过50μm;2)在还原性气氛中,对步骤1)所得铜基底进行还原处理,降温,即在所述铜基底相对的表面上得到所述Cu(100)单晶.通过对铜基底的大小进行调节,可以快速不同尺寸的大面积Cu(100)单晶,制备时间短,工艺简单,与生产兼容性好.