摘要：
本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法,所述半导体激光器包括:衬底,外延结构,其生长所述衬底上,由下至上包括:N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层;增益放大区,其位于所述半导体激光器的前部即出光部分,为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构;主振荡区,其位于所述增益放大区后部,为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构;金属光栅区,其位于所述主振荡区后部,为形成在所述上波导层表面的周期性光栅结构;光限制槽,其对称分布于所述脊形波导结构的两侧,与所述脊形波导结构倾斜设置.
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