双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法

祝靖黄超张龙卜爱国孙伟锋陆生礼时龙兴 · 2016

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专利权人：

东南大学

申请人：

东南大学

通讯地址：

214135江苏省无锡市新区菱湖大道99号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105590958A

公开日期：

2016.05.18

摘要：

一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法,包括:P型衬底,埋氧层,N型外延层,在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层,在P型体区内设有P型发射极和N型发射极,N型发射极上方设有多晶硅栅,多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出,在N型缓冲层中设有P型集电极,N型缓冲层上方有多晶硅场板,多晶硅场板上连有栅极金属,P型体区三面包围着N型缓冲层,留有一面的间断,P型集电极连有集电极金属连线,在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽,沟槽内掺有介质,在整个结构外包围有沟槽,沟槽内掺有介质.所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触,留有空隙.