超疏水多孔硅的制备方法

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超疏水多孔硅的制备方法

泮怀海赵全忠 · 2015

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超短脉冲激光

专利权人：

中国科学院上海光学精密机械研究所

申请人：

中国科学院上海光学精密机械研究所

通讯地址：

中国科学院上海光学精密机械研究所

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105060239A

公开日期：

2015.11.18

摘要：

一种超疏水多孔硅的制备方法,该方法首先,利用超短脉冲激光在单晶硅表面辐照烧蚀出微纳结构,然后用一定配比的氢氟酸、硝酸和蒸馏水的混合溶液去腐蚀该表面,从而得到多孔硅表面.利用本发明方法制备的多孔硅表面具有良好的超疏水特性.

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