摘要：
本发明提供一种新型结构的单光子探测器,其主体结构是一个共振隧穿二极管,并在双势垒结构上方依次外延生长隔离层、n+-i-p+倍增区和吸收层.探测器工作时加正向偏压,单光子从集电极入射,并在吸收层产生光生电子-空穴对,光生空穴在电场作用下进入倍增区获得倍增,并在隔离层累积,进而改变双势垒两侧的电势,增大了隧穿电流.本发明采用n+-i-p+倍增区的设计方案,通过调节n+层和p+层的厚度及掺杂浓度,能够有效地调节倍增区内部的电场强度,从而达到对倍增区倍增倍数的灵活控制.通过加入倍增区,有效地提高了探测器的峰值电流.与未添加倍增区的单光子探测器相比,其工作温度可以大幅提高.
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