一种抗高温氧化损伤ZrB<sub>2</sub>-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法

一种抗高温氧化损伤ZrB₂-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法

李宁张幸红柯博赵利平胡平李翠 · 2016

阅读量：290

专利权人：

中国工程物理研究院激光聚变研究中心;哈尔滨工业大学

申请人：

中国工程物理研究院激光聚变研究中心;哈尔滨工业大学

通讯地址：

621900四川省绵阳市绵山路64号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105441767A

公开日期：

2016.03.30

摘要：

一种抗高温氧化损伤ZrB₂-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法,它属于工程材料制备技术领域,具体涉及本发明涉及一种抗高温氧化损伤ZrB₂-SiC-ZrC-W复相陶瓷的制备方法.本发明的目的要解决现有ZrB₂基陶瓷材料在超过1600℃时稳定性差的问题.方法:一、准备原料;二、混合、球磨,得到浆料;三、干燥、研磨,得到混合粉料;四、热压烧结,得到ZrB₂-SiC-ZrC-W复相陶瓷.优点:一、致密度大于99％;二、与现有ZrB₂基陶瓷材料相比,具有更为突出的抗高温氧化损伤性能.本发明主要用于制备抗高温氧化损伤ZrB₂-SiC-ZrC-W复相陶瓷.