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场发射体的制备方法
魏洋 范守善 · 2016
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专利权人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
通讯地址：
100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
专利类型：
发明专利
专利号：
CN105448623A
公开日期：
2016.03.30
摘要：
本发明涉及一种场发射体的制备方法,包括:提供一碳纳米管层,所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面;在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层;在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层,形成一碳纳米管复合层;及断开所述碳纳米管复合层,使所述碳纳米管层断开,在断开处形成多个电子发射端.
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