基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计

韦俞鸿黄冰孙晓玮张润曦张健 · 2018

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单刀双掷开关

超宽带

45nm绝缘体上硅

负偏置

期刊名称：

固体电子学研究与进展 2018 年 04 期

摘要：

提出了基于Global Foundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35×0.16 mm～2。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC～94GHz的插入损耗小于4d B,隔离度大于24d B,而Ka波段通带单刀双掷开关在25～45GHz的插入损耗为2.5～3.2d B,隔离度大于19d B。