蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究
李金伦
崔少辉
张静
张振伟
张博文
倪海桥
牛智川
· 2019
期刊名称：
红外与激光工程
2019 年
第48卷 卷
第9期 期
摘要：
采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm~2/Vs。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S_(11)参数为-40dB,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz~(1/2),探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。
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