在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

姚振钰贺洪波柴春林刘志凯杨少延张建辉廖梅勇范正修秦复光王占国林兰英 · 2000

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期刊名称：

功能材料与器件学报 2000 年第4期期

摘要：

室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射 ,其强度与晶体质量有关。