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期刊论文
离子束外延生长半导体性锰硅化合物
杨君玲
陈诺夫
刘志凯
杨少延
柴春林
廖梅勇
何宏家
· 2001
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阅读量:13
半导体性锰硅化物
硅单晶
质量分析的低能离子束
期刊名称:
半导体学报 2001 年 11 期
摘要:
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 结晶更好
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