CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”

柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国 · 2001

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CeO_2

Si薄膜

PL谱

“紫移”

期刊名称：

科学通报 2001 年 18 期

摘要：

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.