离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物

杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家 · 2001

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(Ga

As)化合物

GaAs单晶

质量分析的低能离子束

期刊名称：

稀有金属 2001 年 04 期

摘要：

利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 160nm。衬底温度为 5 2 3K时获得了Ga5.2 Mn相 ,衬底温度为 673K时获得了Ga5.2 Mn、Ga5Mn8和Mn3 Ga相。在 1113K条件下对 673K生长的样品进行退火 ,退火后样品中原有的Mn3 Ga消失 ,Ga5Mn...