质量分离的双离子束沉积法生长CeO

质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜

柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国 · 2001

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期刊名称：

稀有金属 2001 年 06 期

摘要：

利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子束对薄膜有轰击作用 ,并有助于薄膜的择优取向生长。在 4 0 0℃时 ,制备了CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )单晶薄膜。