二元高k材料研究进展及制备

周剑平柴春林杨少延刘志凯张志成陈诺夫林兰英 · 2002

阅读量：12

高-k材料

蒸发法

CVD

IBD

期刊名称：

功能材料 2002 年 05 期

摘要：

随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积。