室温铁磁性半导体Mn_xGa

室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb

陈诺夫张富强刘志凯杨少延柴春林王占国林兰英杨君玲胡文瑞林兰英 · 2002

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MnxGa1-xSb

铁磁性

稀磁半导体

期刊名称：

科学通报 2002 年 24 期

摘要：

采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.