Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究

周剑平陈诺夫宋书林柴春林杨少延刘志凯林兰英 · 2003

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期刊名称：

物理学报 2003 年 06 期

摘要：

采用离子束技术 ,在n型硅基片中注入稀土元素钆 ,制备了磁性非磁性p n结 .磁性层GdxSi1 -x表现出优良的磁学性能 ,高居里温度 ,高原子磁矩 (利用RKKY模型可以得到解释 ) ,低矫顽力 ,并保持着半导体的属性 ,磁性非磁性p n结具有整流特性 ,但没有观察到明显的磁电阻效应