离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究

宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯 · 2003

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期刊名称：

真空科学与技术 2003 年 05 期

摘要：

利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。