掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

尚勋忠王文冲郭丽伟吴曙东牛萍娟黄绮周均铭 · 2004

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量子阱

期刊名称：

半导体学报 2004 年第9期期

摘要：

研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型 HEMT的电学性能

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