磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究

刘志凯周剑平柴春林杨少延宋书林李艳丽陈诺夫 · 2004

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离子注入

磁性半导体

X射线光电子频谱

低能离子束

期刊名称：

真空科学与技术学报 2004 年 02 期

摘要：

采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ,其中一个是单质Si的 ,另一个介于单质Si和硅化物之间 ,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间 ,说明GdxSi1-x形成了无定形结构