薄起始层的VHFPECVD底栅微晶硅薄膜晶体管(英文)

李娟赵淑云刘建平吴春亚张晓丹孟志国赵颖熊绍珍张丽珠张震 · 2005

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微晶硅

起始层

硅烷浓度

底栅薄膜晶体管

期刊名称：

半导体学报 2005 年 06 期

摘要：

对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了用超高频化学气相法直接沉积的微晶硅薄膜起始层的厚度,得到起始层厚度小于20nm的微晶硅薄膜.在硅烷浓度为2%的条件下采用四版工艺制备了具有Al/SiNx/μcSi/n+-μc-Si/Al结构的底栅微晶硅TFT,其开关比(Ion/Ioff)达到106,场效应迁移率为0.7cm2/(V·s),阈值电压为5V左右.