四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究

李树奇刘士国孔勇发阎文博刘宏德邓东灵高光宇李彦波高宏臣许京军 · 2006

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掺铪铌酸锂晶体

抗光折变

阈值

吸收光谱

期刊名称：

人工晶体学报 2006 年第3期期

摘要：

我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体。掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级。应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似。晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征。由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%。

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